Please use this identifier to cite or link to this item: https://er.nau.edu.ua/handle/NAU/63429
Title: Розвиток мікроелектроніки. Закони Мура і Хуанга
Authors: Єгорова, Яна
Keywords: Мікро-наноелектроніка
твердотіла електроніка
швидкодія
інновації мікротехнології
відеопроцессор
штучний інтелект
Issue Date: Apr-2024
Publisher: Національний авіаційний університет
Citation: Єгорова Я. Розвиток мікроелектроніки. Закони Мура і Хуанга // Політ. Сучасні проблеми науки: тези доповідей ХХІV Міжнародної науково-практичної конференції здобувачів вищої освіти і молодих учених . – Національний авіаційний університет. – Київ, 2024.
Abstract: Витоки закону Мура можна простежити до перших років розвитку напівпровідникової промисловості. У 1960-хінтегральні схеми все ще були на ранній стадії розробки, і кількість транзисторів на чіпі була відносно невеликою. Однак із вдосконаленням технології виробництва та зменшенням розмірів транзисторів кількість транзисторів, які можна розмістити на чіпі, зросла в геометричній прогресії. Оскільки кількість транзисторів на мікрочіпі збільшується в 2 рази кожні 2 роки, продуктивність комп'ютерів і електронних пристроїв зростає із загрозливою швидкістю. У міру зменшення розміру фізичні обмеження транзисторів, такі як струм витоку та розсіювання тепла, стають більш вираженими. Ці проблеми вимагають інноваційних рішень та альтернативних матеріалів для підтримки експоненціального зростання.
Description: https://uk.wikipedia.org/wiki/Закон_Мура https://futurenow.com.ua/shho-take-zakon-mura-dvygun-tehnologichnogo-progresu/ https://en.wikipedia.org/wiki/Huang%27s_law
URI: https://er.nau.edu.ua/handle/NAU/63429
Appears in Collections:Політ. Електроніка

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Єгорова Яна.pdf326.72 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.