Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://er.nau.edu.ua/handle/NAU/32361
Назва: | Memristors and nonvolatile random access memory (NVRAM) in nanoelectronics |
Автори: | SINEGLAZOV, V. M. Zelenkov, A.A. |
Ключові слова: | Memristor nonvolatile random access memory |
Дата публікації: | 2017 |
Видавництво: | Освіта України |
Короткий огляд (реферат): | The manual is devoted to the physical principles of the memristor as a fourth fundamental element, whose existence was predicted theoretically in 1971, and in 2008 alone the memristor was realized physically. The basic characteristics and models of the memristor as the basic element of the electrical circuits, along with the resistor, inductor and capacitor are considered. The basic note is shared to the effect of the resistive switching of the memristor, its physical realization, as well as building on its base of some types of nonvolatile random access memory (NVRAM), elements of which are dimensions of the order of several nanometers, and therefore their physical realization is in the field of nanotechnology. The properties of materials to realize new approaches to the development of computers and their basic elements are just manifested in the nanoscale. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://er.nau.edu.ua/handle/NAU/32361 |
Розташовується у зібраннях: | Наукові праці співробітників НАУ (проводиться премодерація, колекція НТБ НАУ) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
НаноЭлектр-2017+(англ).pdf | 20.53 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.